Американцы создали диски емкостью 500 гигабайт

ПОДЕЛИТЬСЯ

Американцы создали диски емкостью 500 гигабайт

Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.

ПОДЕЛИТЬСЯ
Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.
Tengrinews
Читайте также
Join Telegram

Курс валют

 506.7  course down  594.97  course up  6.53  course down

 

Погода

location-current
Алматы
А
Алматы -5
Астана -11
Актау -4
Актобе -13
Атырау -7
Б
Балхаш -12
Ж
Жезказган -12
К
Караганда -19
Кокшетау -22
Костанай -3
Кызылорда -11
П
Павлодар -24
Петропавловск -11
С
Семей -6
Т
Талдыкорган -8
Тараз 3
Туркестан -10
У
Уральск -7
Усть-Каменогорск 8
Ш
Шымкент -10

 

Редакция Реклама
Социальные сети